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消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4

IT之家 2025-01-21
计算机设备
三星电子将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，可能影响HBM4内存的规划。尽管三星已在去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整体良率未达量产要求。这将导致1c nm DRAM的量产推迟到2025年底，两代DRAM工艺间的间隔延长至2.5年。竞争对手SK海力士和美光已分别在2024年8月和2025年4月完成1c nm开发，三星可能成为最后一家官宣1c nm DRAM的三大原厂。这一推迟还可能影响三星通过HBM4重夺HBM市场领导地位的计划。
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舆情解析

此次三星电子1c nm DRAM开发进度的推迟对[计算机设备]股票行业板块产生负面影响。首先，延迟的开发进度可能导致三星在市场竞争中落后于SK海力士和美光，特别是在高端内存领域如HBM4的竞争中失去先机。其次，1c nm DRAM的量产推迟将直接影响相关产品的上市时间和市场份额，进而影响公司的营收和利润预期。这对整个计算机设备行业的技术进步和市场格局也可能带来一定的冲击，特别是依赖先进内存技术的产品线。因此，该舆情可能会在未来一段时间内对[计算机设备]股票行业板块的走势产生较为明显的影响，但并非即时性的重大事件。

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