三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率
2025-01-22
三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报道，但市场观察人士认为此举源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用 1a DRAM。三星启动了名为“D1b—p”的开发项目，旨在提高电源效率和散热性能。尽管三星是全球 DRAM 领域的领导者，但正面临来自 SK 海力士和美光的挑战。有消息称，三星 Galaxy S25 系列智能手机将由美光提供主要的移动 DRAM LPDDR5，因三星尚未完全解决 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。
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此次事件直接涉及存储芯片行业的重要厂商三星电子，且内容显示三星在 DRAM 技术上面临竞争压力和技术瓶颈，可能导致其市场份额受到威胁。虽然三星否认重新设计 1b DRAM 的报道，但业内人士透露公司确实在提升 1b DRAM 性能和良率方面采取行动。这表明公司在技术和市场竞争中遇到了困难，短期内可能影响投资者信心及股价表现。此外，美光成为三星 Galaxy S25 系列的主要 DRAM 供应商的消息进一步加剧了对三星技术能力的担忧。因此，该舆情对[其他电子]股票行业板块尤其是存储芯片领域具有较为明显的负面影响，但并非即时性的紧急事件，属于重要舆情。
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