珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片

珠海市工业和信息化局发布《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案2025—2027年征求意见稿》，提出重点发展8英寸、12英寸硅片及碳化硅、氮化镓等新一代化合物半导体材料，同时前瞻布局氧化镓、锑化镓等第四代半导体材料。此外，还强调了匀胶铬版光掩模版、KrF、ArF移项光掩模版及深紫外光DUV掩膜版的发展。